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本发明涉及一种电容器制备方法及电容器,涉及电容器领域,该方法包括:在绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极;获得绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极;在完成第二导电电极和第三导电电极刻蚀的绝缘基板的上表面和下表面分别沉积第一...该专利属于广州天极电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广州天极电子科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种电容器制备方法及电容器,涉及电容器领域,该方法包括:在绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极;获得绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极;在完成第二导电电极和第三导电电极刻蚀的绝缘基板的上表面和下表面分别沉积第一...