一种电容器制作方法及电容器技术

本发明专利技术涉及一种电容器制备方法及电容器，涉及电容器领域，该方法包括：在绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极；获得绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极；在完成第二导电电极和第三导电电极刻蚀的绝缘基板的上表面和下表面分别沉积第一绝缘介质层和第二绝缘介质层；分别获得第一绝缘介质上的第一导电电极和第二绝缘介质层上的第四导电电极；在第一导电电极上覆盖第一薄膜层，在第四导电电极上覆盖第二薄膜层，获得初步结构的电容器；在初步结构的电容器的两端分别覆盖第一端电极和第二端电极。本发明专利技术降低了电容器的制备难度。电容器的制备难度。电容器的制备难度。

【技术实现步骤摘要】
一种电容器制作方法及电容器


[0001]本专利技术涉及电容器
，特别是涉及一种电容器制作方法及电容器。

技术介绍

[0002]传统的瓷介电容器中常使用的介电材料如陶瓷等，是易碎材料，容易受到机械应力的损坏，并且陶瓷层越薄，就越脆弱。并且随着技术的发展，电子部件的高密度安装化也在发展，因此对于电容器的尺寸要求也在缩小，导致电容器的制备工作难度增大。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种电容器制作方法及电容器，降低了制备难度。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0005]一种电容器制备方法，包括：
[0006]将绝缘基板研磨至设定厚度并进行抛光，获得处理后的绝缘基板；
[0007]在所述绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极；
[0008]对所述绝缘基板上表面沉积的导电电极和下表面沉积的导电电极进行刻蚀，分别获得所述绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极；
[0009]在完成所述第二导电电极和所述第三导电电极刻蚀的所述绝缘基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器制备方法，其特征在于，包括：将绝缘基板研磨至设定厚度并进行抛光，获得处理后的绝缘基板；在所述绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极；对所述绝缘基板上表面沉积的导电电极和下表面沉积的导电电极进行刻蚀，分别获得所述绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极；在完成所述第二导电电极和所述第三导电电极刻蚀的所述绝缘基板的上表面和下表面分别沉积第一绝缘介质层和第二绝缘介质层；对所述第一绝缘介质层沉积的导电电极和所述第二绝缘介质层沉积的导电电极进行刻蚀，分别获得所述第一绝缘介质上的第一导电电极和所述第二绝缘介质层上的第四导电电极；在所述第一导电电极上覆盖第一薄膜层，在所述第四导电电极上覆盖第二薄膜层，获得初步结构的电容器；在所述初步结构的电容器的一端覆盖第一端电极，在所述初步结构的电容器的另一端覆盖第二端电极；所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第四导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第三导电电极连接，或者所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第三导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第四导电电极连接。2.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，当所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第四导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第三导电电极连接时，所述第一端电极与所述第二导电电极和所述第三导电电极的距离均为60μm，所述第二端电极与所述第一导电电极和所述第四导电电极的距离均为60μm。3.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述绝缘基板的材料为光敏玻璃、钛酸锶、氮化铝或碳化硅。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢敏仪，罗旺，郭留阳，罗文裕，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：