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本发明属于半导体三维集成技术领域，公开了一种硅通孔互联的空腔结构及其形成方法：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆正面带有器件层；在第一硅晶圆的器件层上沉积第一介质层，并在第一介质层上刻蚀形成TDV；在TDV上沉积第二介质层，以使TDV开口封闭且内部...
该专利属于湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司授权不得商用。

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