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本发明提供了一种重置金属栅的方法，包括：形成待重置金属栅结构，所述待重置金属栅结构包括自下向上堆叠设置的第一MOS管结构、第二MOS管结构；刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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