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本公开的实施例涉及集成电路晶体管器件。一种集成电路晶体管器件，包括：半导体衬底，提供漏极；第一掺杂区域，被掩埋在半导体衬底中提供主体；第二掺杂区域，在半导体衬底中提供源极，其中第二掺杂区域与第一掺杂区域相邻；沟槽，延伸到半导体衬底中并且穿过...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

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