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本发明涉及异质结场效应晶体管技术领域，尤其涉及一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法。本发明提供的外延结构，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、GaN层和AlGaN阻隔层；所述缓冲层包括GaN纳米柱阵列和填充在所述GaN纳米柱阵列间隙的A...
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