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本发明提供了一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法，本发明的制备方法将含有镓和锰的聚合物溶液均匀的涂覆在Si/SiO2/Pt衬底上，再将其置于氧化性气氛中进行热处理得到表面平整均匀的Mn掺杂氧化镓非晶薄膜(a
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该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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