温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开基于剥离衬底的半导体功率分立器件，包括外延层、栅极层和功能层，其中栅极层被设置于所述外延层的第一表面，包括栅极结构、第一钝化层结构和金属基板，其中所述栅极结构靠近所述第一表面，所述第一钝化层结构相对的设置在所述栅极结构的两侧，并在...
该专利属于远山新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过远山新材料科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。