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本公开涉及以多种半导体技术实现的多级多尔蒂功率放大器。一种装置包括集成电路(IC)管芯。IC管芯包括硅锗(SiGe)衬底、第一RF信号输入端、第一RF信号输出端、在第一RF信号输入端与第一RF信号输出端之间的第一放大路径、第二RF信号输入端...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。

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