以多种半导体技术实现的多级多尔蒂功率放大器制造技术

本公开涉及以多种半导体技术实现的多级多尔蒂功率放大器。一种装置包括集成电路(IC)管芯。IC管芯包括硅锗(SiGe)衬底、第一RF信号输入端、第一RF信号输出端、在第一RF信号输入端与第一RF信号输出端之间的第一放大路径、第二RF信号输入端、第二RF信号输出端，以及在第二RF信号输入端与第二RF信号输出端之间的第二放大路径。装置包括第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯，第一功率晶体管管芯包括电连接到第一RF信号输出端的第一输入端，第二功率晶体管管芯包括电连接到第二RF信号输出端的第二输入端。第一放大路径可以包括以共源共栅配置连接的两个异质结双极晶体管(HBT)，并且第二放大路径可以包括以共源共栅配置连接的两个HBT。的两个HBT。的两个HBT。

【技术实现步骤摘要】
以多种半导体技术实现的多级多尔蒂功率放大器


[0001]本文中描述的主题的实施例大体上涉及多级功率放大器。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)功率晶体管越来越多地用于蜂窝式基站和其它系统的高功率放大器电路以提高效率和工作带宽。GaN晶体管已证明为在与其硅基对应物中的一些相比时由于其相对高的功率密度和相对高的单位电流增益频率而提供较高放大器性能。功率密度较高允许给定电平输出功率的情况下管芯外围较小。当与硅装置相比时，这可产生更低的漏极
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源极电容C
DS
和输出带宽更宽的更高输出阻抗。
[0003]但是，当与硅基晶体管相比时，GaN晶体管还有若干缺点。例如，GaN的电流成本明显高于硅的电流成本，从而使GaN晶粒面积和集成非常珍贵。另外，GaN晶体管压缩特性对数字预失真线性化电路构成挑战。GaN晶体管倾向于具有相对慢的逐渐的振幅压缩，且传输相位在驱动期间呈现扩展。
[0004]更进一步，GaN输入特性会显著地限制性能。更具体地说，GaN输入阻抗在高Q因数的情况下往往极低，且栅极
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有安装表面；第一功率晶体管管芯，所述第一功率晶体管管芯耦合到所述安装表面，其中所述第一功率晶体管管芯包括第一III
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V半导体衬底、第一射频(RF)信号输入端、第一RF信号输出端和第一晶体管，其中所述第一晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的第一控制端以及电耦合到所述第一RF信号输出端的第一载流端；第二功率晶体管管芯，所述第二功率晶体管管芯耦合到所述安装表面，其中所述第二功率晶体管管芯包括第二III
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V半导体衬底、第二射频(RF)信号输入端、第二RF信号输出端和第二晶体管，其中所述第二晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的第二控制端以及电耦合到所述第一RF信号输出端的第二载流端；第三管芯，所述第三管芯耦合到所述安装表面，所述第三管芯包括硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)中的至少一者、第三RF信号输入端、电连接到所述第一RF信号输入端的第三RF信号输出端、在所述第三RF信号输入端与所述第三RF信号输出端之间的第一放大路径、第四RF信号输入端、电连接到所述第二RF信号输入端的第四RF信号输出端，以及在所述第四RF信号输入端与所述第四RF信号输出端之间的第二放大路径；以及第一连接，所述第一连接电耦合在所述第二RF信号输出端与所述第一RF信号输入端之间。2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一放大路径包括耦合在所述第三RF信号输入端与所述第三RF信号输出端之间的第一异质结双极晶体管(HBT)晶体管，并且所述第二放大路径包括耦合在所述第四RF信号输入端与所述第四RF信号输出端之间的第二HBT。3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述第一放大路径包括耦合在所述第三RF信号输入端与所述第三RF信号输出端之间的第三HBT，并且所述第一HBT和所述第三HBT以共源共栅配置连接，并且所述第二放大路径包括耦合在所述第四RF信号输入端与所述第四RF信号输出端之间的第四HBT，并且所述第二HBT和所述第四HBT以共源共栅配置连接。4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，所述第二放大路径包括第一可变电容，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：