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一种半导体的结构的形成方法,方法包括:提供基底,基底包括第一介电层以及位于第一介电层中的第一导电层,基底的顶部形成有第二介电层,第一导电层侧部的第二介电层的顶部形成有硬掩膜层,硬掩膜层露出位于第一导电层顶部的第二介电层;以硬掩膜层为掩膜,去...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体的结构的形成方法,方法包括:提供基底,基底包括第一介电层以及位于第一介电层中的第一导电层,基底的顶部形成有第二介电层,第一导电层侧部的第二介电层的顶部形成有硬掩膜层,硬掩膜层露出位于第一导电层顶部的第二介电层;以硬掩膜层为掩膜,去...