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一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图,形成方法包括:提供基底,包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部,鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列,衬底包括多个存储单元区,存储单元区包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区,在存储单元区中,...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法、以及掩膜版版图,形成方法包括:提供基底,包括衬底以及凸立于衬底的多个鳍部,鳍部沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列,衬底包括多个存储单元区,存储单元区包括传输门晶体管区、下拉晶体管区和上拉晶体管区,在存储单元区中,...