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一种多主栅背接触异质结太阳电池制造技术
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文档序号:36310832
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本实用新型涉及多主栅背接触异质结太阳电池,它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设...
该专利属于福建金石能源有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建金石能源有限公司授权不得商用。
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