一种多主栅背接触异质结太阳电池制造技术

本实用新型专利技术涉及多主栅背接触异质结太阳电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。本实用新型专利技术的目的在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池，在显著降低细栅线的导电性要求的同时，实现多主栅结构，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种多主栅背接触异质结太阳电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种多主栅背接触异质结太阳电池。

技术介绍

[0002]近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。高效率太阳能电池是未来产业的趋势，在提升单位面积的发电瓦数的同时，还能降低成本，从而提升模块发电的附加价值。
[0003]作为高效率太阳能电池之一的背接触电池，其将受光面的电极全部移到背面，使得受光面的面积最大化，从而提高电池的转换效率，具有代表性的是美国的SUN POWER。
[0004]然而，高效电池技术在现阶段都有制造成本较高的问题。比如，背接触电池采用铜电镀技术有相应的含铜废水处理和环境保护的问题，且需要较大的生产场地，不利于规模量产推广。因此，有必要研发出一种适用于背接触电池的低成本金属电极结构，以推动高效背接触电池规模化量产。

技术实现思路

[0005]本技术的目的之一在于提供一种多主栅背接触异质结太阳电池，在显著降低细栅线的导电性要求的同时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面上且从左到右交替设置的多个第一半导体区和第二半导体区、设置在各个第一半导体区和第二半导体区之间的隔离槽、水平设置在各个第一半导体区上的一列以上第一绝缘层阵列、水平设置在各个第二半导体区上的一列以上第二绝缘层阵列、电连接各个第一半导体区且与各个第二绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第一可焊接主栅线以及电连接各个第二半导体区且与各个第一绝缘层阵列相同水平位置进行对应设置的一列以上第二可焊接主栅线；第一绝缘层阵列与第二绝缘层阵列从上到下错开设置。2.根据权利要求1所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：相邻两个第一绝缘层阵列之间的各个第一半导体区上设有与第一可焊接主栅线电连接的多条第一细栅，相邻两个第二绝缘层阵列之间的各个第二半导体区上设有与第二可焊接主栅线电连接的多条第二细栅。3.根据权利要求1或2所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一半导体区和第二半导体区之间设置有隔离区，所述隔离槽设置在隔离区上。4.根据权利要求3所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一半导体区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第一型半导体膜层和第一导电膜层，所述第二半导体区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第二型半导体膜层和第二导电膜层，所述隔离区包括以半导体基板的第一主面为基底从底到面依次形成的第一型半导体膜层、隔离膜层、第二型半导体膜层以及隔离导电膜层，所述隔离槽将隔离导电膜层分隔成左右两部分。5.根据权利要求4所述的多主栅背接触异质结太阳电池，其特征在于：所述第一型半导体膜层包括以半导体基板的第一主面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超华，黄魏辉，谢志刚，林振鹏，林桂婷，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：