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本发明公开了一种半导体材料的表面钝化方法，涉及半导体钝化领域，解决了现有的氧化硅在经过多层的钝化后稳定性与兼容性一般的问题，现提出如下方案，其包括氧化硅、第一钝化层、中间层与上面层。本工艺加工后的氧化硅在后续的使用中具有更好的稳定与兼容性的...
该专利属于浙江工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江工业大学授权不得商用。

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