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本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底及位于所述衬底上的第一介质层；于所述基底内形成硅通孔，所述硅通孔贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内，且所述硅通孔的深度小于所述基底的厚度；于所述硅通孔内形成导电结构；于所...
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