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本实用新型揭示了一种具有阵列场板的HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的异质结，异质结包括沟道层和势垒层；钝化层结构，位于异质结上方，所述异质结及钝化层结构中沿第一方向形成有栅极区域、源极区域和漏极区域，栅极区域位于源极区域...
该专利属于苏州英嘉通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州英嘉通半导体有限公司授权不得商用。

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