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本发明公开了一种超短沟道NOR闪存阵列、制造工艺及编程方法，其中NOR闪存阵列包括阵列排布的NVM单元，处于第一方向上的所述NVM单元的控制栅极依次连接形成字线，处于第二方向上且相邻的所述NVM单元构成NVM单元对，所述NVM单元对中的所述...
该专利属于芯立嘉集成电路（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯立嘉集成电路（杭州）有限公司授权不得商用。

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