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本发明公开了一种CIS的深沟槽隔离结构，包括：通过对第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成的深沟槽，深沟槽的内侧表面具有由等离子体刻蚀产生界面缺陷。形成于深沟槽中的第一半导体外延层、第二介质层和第三导电材料层。在最靠近外围区的深沟槽的...
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