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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、栅极结构及第一金属层；其中，栅极结构位于衬底上，栅极结构两侧的衬底内具有源区及漏区，栅极结构包括第一浮栅层，第一浮栅层覆盖部分源区及至少部分衬底；第一金属层，位第一浮栅层上。取消了源区与漏区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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