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本公开涉及具有相邻金属接触之间的低k电介质间隙的功率半导体器件。描述半导体器件。该半导体器件包括：具有第一主表面的Si衬底；多个栅极沟槽，从第一主表面延伸到Si衬底中；在相邻栅极沟槽之间的半导体台面；在第一主表面上的第一层间电介质；多个第一...
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