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本发明实施方式提供能够抑制单元电流的劣化的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具有层叠体、柱状体和第2导电层。层叠体包含多个第1导电层和多个绝缘层。层叠体中，多个第1导电层和多个绝缘层沿第1方向一层一层交替地层叠。第2导电层...
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