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本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层，所述衬底层的顶部设有底电极层，所述底电极层的顶部设有主要层，所述主要层的顶部设有顶电极层，所述顶电极层的顶部设有保护层，所述主要层包括第一阻变层，所述第一阻变层的顶部设有第...
该专利属于吕梁学院所有，仅供学习研究参考，未经过吕梁学院授权不得商用。

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