一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层，所述衬底层的顶部设有底电极层，所述底电极层的顶部设有主要层，所述主要层的顶部设有顶电极层，所述顶电极层的顶部设有保护层，所述主要层包括第一阻变层，所述第一阻变层的顶部设有第二阻变层，所述第二阻变层的顶部设有第三阻变层，所述第一阻变层、第二阻变层、第三阻变层相邻之间均设有氧化层，所述第一阻变层与底电极层固定连接，所述第三阻变层与顶电极层固定连接。本实用新型专利技术设置过渡金属硫族化合物的堆垛结构，使忆阻器的性能得到提升，解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。耐受性降低的问题。耐受性降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器


[0001]本技术涉及忆阻器
，尤其涉及一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器。

技术介绍

[0002]阻变存储器，又称忆阻器，是新一代非易失性存储器。其主要机理是材料的电阻随着电压(电场)的改变发生变化。
[0003]过渡金属硫族化合物是一类重要的二维半导体材料，其化学式为MX2，M是指过渡金属元素，例如：钼、钨等，X是指硫族元素，例如：硫、硒等。它们是一种层状结构的二维材料，层与层之间由弱的范德华力所连接，和石墨烯一样，可以通过一些剥离手段使其从块状材料变成单层或者多层的纳米片状材料。通过调整层的数量可以控制材料的带隙宽度，当它为多层纳米片时能带为间接带隙，而单层时，则为直接带隙，具有带隙可调性，这使得过渡金属硫族化合物在光学器件领域有很大的应用潜力，而它自身的高迁移率的电学性能，使得其成为研究光控忆阻器的热门材料。过渡金属硫化物为一种片层二维材料，其单层纳米片形态有利于实现忆阻器的微小型化。且其片状结构具有一定的张力，搭配柔性衬底可以实现器件的柔性化，对于研究可穿戴型柔性忆阻器提供了可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，其特征在于，包括衬底层(1)，所述衬底层(1)的顶部设有底电极层(3)，所述底电极层(3)的顶部设有主要层(4)，所述主要层(4)的顶部设有顶电极层(5)，所述顶电极层(5)的顶部设有保护层(7)，所述主要层(4)包括第一阻变层(8)，所述第一阻变层(8)的顶部设有第二阻变层(9)，所述第二阻变层(9)的顶部设有第三阻变层(10)，所述第一阻变层(8)、第二阻变层(9)、第三阻变层(10)相邻之间均设有氧化层(11)，所述第一阻变层(8)与底电极层(3)固定连接，所述第三阻变层(10)与顶电极层(5)固定连接。2.根据权利要求1所述的一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，其特征在于，所述衬底层(1)与底电极层(3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王娟娟，
申请(专利权)人：吕梁学院，
类型：新型
国别省市：