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本发明公开了一种抗单粒子烧毁加固的沟槽栅功率MOSFET器件及其制备方法，包括：在器件的中心位置刻蚀深沟槽并形成P型屏蔽区和沉积N型多晶硅，通过离子注入的方式在硼掺杂区和N型漂移区之间形成电流扩展层，通过离子注入的方式在硼掺杂区上方形成P型...
该专利属于大连海事大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连海事大学授权不得商用。

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