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本发明提供一种基于激光刻蚀的横向结构双电极器件阵列的制备方法，利用脉冲激光在刻蚀过程中的光热效应累积，通过脉冲激光刻蚀导电层形成绝缘沟道，同时脉冲激光束附近产生的光热效应破坏沟道两侧的疏液层从而降低其疏液效果，形成热影响区。当将可通过溶液法...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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