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CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用技术
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文档序号:36200301
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本发明公开了CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用,涉及半导体光电探测器技术领域,包括以下步骤,将制备好的CsPbBr3前驱体溶液滴在等离子仪处理过的Si/SiO2衬底上,盖上一层光滑平整的PDMS膜,进行干燥;完成干燥后揭掉PDMS...
该专利属于云南师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过云南师范大学授权不得商用。
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