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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括第一器件区、以及与第一器件区相邻的第二器件区，在第一器件区中，衬底上还形成有第一鳍部材料层，第一鳍部材料层上还形成有硬掩膜层；在第二器件区的衬底上外延生长第二鳍部材料层，第二鳍部材料层的顶部高于...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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