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本发明提出一种发绿光的氮化物半导体薄膜材料及其制备方法，属于发光半导体薄膜材料技术领域，该薄膜材料的组分包括化学式为M3N4的氮化物；其中，M代表金属元素，为Zr或Hf；氮化物为正交晶系、晶体空间群为Pnma；薄膜材料中N元素的摩尔比例为5...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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