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本申请涉及半导体工艺方法和半导体蚀刻设备，该半导体工艺方法包括在第一金属层的上表面沉积金属间介质层，基于金属间介质层，通过光刻与刻蚀工艺形成目标沟槽和目标通孔，对光刻与刻蚀工艺对应的刻蚀残留物进行清洗，并在清洗后的目标沟槽、目标通孔和金属间...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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