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本发明公开了一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其包括绝缘衬底、金电极、银电极、n型InSe半导体和p型GaSe半导体，本方案的光电探测器的结构为：金电极在绝缘衬底上方，GaSe半导体在金电极上方，InSe半导体在GaSe半导体上方并形成...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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