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本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法，包括：原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上；采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕；转移至加热台进行升温至80℃～120℃，将原始片状单晶与基底分离；将原始片状单...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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