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本发明涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结...
该专利属于安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司授权不得商用。

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