一种GGG磁制冷晶体及其生长方法技术

本发明专利技术涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：长出单晶体。本发明专利技术中在进行提拉反应之前通过沉淀法制备多晶原料，然后再进行提拉生长，减少Ga

【技术实现步骤摘要】
一种GGG磁制冷晶体及其生长方法


[0001]本专利技术属于晶体生长
，具体地，涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法。

技术介绍

[0002]磁致冷材料是用于磁致冷系统的具有磁热效应的物质。其制冷方式是利用自旋系统磁熵变的制冷，磁致冷首先是给磁体加磁场，使磁矩按磁场方向整齐排列，然后撤去磁场，使磁矩的方向变得杂乱，这时磁体从周围吸收热量，通过热交换使周围环境的温度降低，达到制冷的目的。顺磁性材料Gd3Ga5O
12
(GGG)是较理想的低温磁制冷材料并且应用于制冷样机中，GGG晶体独特的结构导致了其内部复杂的磁特性。
[0003]目前GGG晶体的合成方法主要有液相共沉淀法和固相反应法。液相法合成路线中因在生长过程中很容易发生固液界面由凸向平的自然转换，而这种固液界面的转换过程往往伴随着强烈的液流和温度的变化，从而导致晶体内部质量的变差，甚至开裂。固相反应法通常需要较高的反应温度和较长的反应时间，而且所得GGG纳米晶尺寸不均匀，形貌不规则且团聚严重。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中提到的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GGG磁制冷晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：将烧结好的多晶加入提拉单晶炉中，对坩埚进行加热，抽真空至≤10Pa，充入氩气，加热至原料熔化，充入氧气，在熔体表面接籽晶提拉熔体，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。2.根据权利要求1所述的一种GGG磁制冷晶体的生长方法，其特征在于，所述溶解包括如下步骤：将Gd2O3与Ga2O3按照一定比例分别加入浓硝酸中，在40℃条件下加热，加热过程中加入盐酸溶液，待溶解完全后，将两溶液混合，加去离子水稀释，使金属离子浓度为1mol/L，然后调节pH值为4.5
‑
5，得到离子混合溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗毅，龚瑞，刘照俊，王玉，
申请(专利权)人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：