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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽型MPS器件及其制备方法，通过在N型外延层的正面形成凹槽，然后在凹槽的底部注入第一P型掺杂离子后高温退火形成第一P型掺杂区，在凹槽的侧壁下方注入第二P型掺杂离子，在凹槽侧壁上方注入第三P型掺杂离子，...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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