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一种降低负压和高温漏电对带隙基准电压影响的芯片，其中，所述芯片中包括第一双极型晶体管、第二双极性晶体管和多个冗余管；其中，所述第一双极型晶体管由所述芯片中一个NPN结构构成；所述第二双极型晶体管由所述芯片中多个NPN结构构成；所述多个冗余管...
该专利属于圣邦微电子（北京）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圣邦微电子（北京）股份有限公司授权不得商用。

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