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本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中GaN基器件没有良好P沟道的问题提出本方案。主要方法是利用不同方向的垂直电场诱导ε
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该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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