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本公开涉及硅化集电极结构。一种半导体装置包括发射极、基极和集电极。所述集电极的一部分位于基板中的沟槽下方。集电极硅化物位于所述沟槽的底部部分的至少一部分和所述沟槽的侧壁的至少一部分上。集电极硅化物结构电耦合到集电极接触结构。合到集电极接触结...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。

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