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本发明公开了一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法，是在HEMT外延结构上形成ESD外延结构，其中ESD外延结构顶部具有附加层，通过蚀刻和隔离形成HEMT器件区域和ESD器件区域后，同步沉积金属于HEMT区域制作源极金属、漏极金属，于E...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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