温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种双栅极器件的制备方法及双栅极器件，该方法包括：制备底栅极；在底栅极上制备底栅介质层；将单层或多层低维材料覆盖至底栅介质层；在低维材料上制备顶栅介质层；在顶栅介质层上制备顶栅极；将电子束负胶覆盖在顶栅介质层及顶栅极和低维材料上...
该专利属于北京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京邮电大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。