温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及集成电路及标准单元，集成电路包括：绝缘体上硅衬底；至少一个第一标准单元，由两个第二标准单元框定，该三个单元被彼此相邻设置，每个单元包括：位于绝缘体上硅衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管，第一标准单元的至少一...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。