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本发明提供的一种基于ScAlN数字合金的极化可调HEMT及其制备方法，使用MOCVD工艺AlN插入层3上以10个Al(Sc)N双层为周期通过调整ScN层和AlN层组合顺序或/和各自层数生长ScN层和AlN层，形成具有不同极化强度或/和不同组...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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