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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种自制冷半导体电阻器及其制作方法，该电阻器包括：位于半导体衬底中的若干个N型阱区和若干个P型阱区，位于每个N型阱区上的第一多晶硅栅极，位于每个P型阱区上的第二多晶硅栅极，及金属互连层。若干个N型阱区和若干个...
该专利属于澜起科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过澜起科技股份有限公司授权不得商用。

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