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本发明提供了一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲层，p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，n型缓冲层的上方设置有n+型飘移层，n+型飘移层的内部设置有p型块，n+型飘移层的顶部设置有蚀刻沟槽，蚀刻沟槽的内...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。

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