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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决相关技术中三维存储器存储容量较小的问题。半导体结构包括堆叠结构和栅线缝隙结构，栅线缝隙结构包括第一分隔结构和第二分隔结构；第一分隔结构包括第一部分，第一部分...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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