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本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供基底；于所述基底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层；对所述侧壁氧化层进行离子注入，以形成隔离阻挡层；于所述浅沟槽内形成填充介...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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