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本发明涉及MOS管栅极制造技术领域,公开了一种用于MOS管栅极制作的多晶硅栅的制造和蚀刻方法，其中制作方法包括依次在衬底上制作第一多晶硅栅层、蚀刻停止层和第二多晶硅栅层，蚀刻方法包括分三次依次蚀刻第二多晶硅栅层、蚀刻停止层和第一多晶硅栅层，...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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