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本发明公开了一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法，涉及半导体器件检测技术领域，针对现有技术的SiC器件结温估算方法所分析出来的数值与理论计算结果差异较大的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：测算结电压；S2：测算导热热阻；S3：...
该专利属于宿迁苏哈新能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宿迁苏哈新能源科技有限公司授权不得商用。

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