一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法技术

本发明专利技术公开了一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法，涉及半导体器件检测技术领域，针对现有技术的SiC器件结温估算方法所分析出来的数值与理论计算结果差异较大的问题，现提出如下方案，其包括以下步骤：S1：测算结电压；S2：测算导热热阻；S3：制作测试基板；S4：数值模拟构建：在热分析软件ICEPAK中建立了测量实验的三维模型，并对模型进行网格划分。本发明专利技术通过数值模拟采用热模拟软件对SiC器件的详细结构进行建模，通过建模模型能真实反映在高开关频率下SiC器件温度分布；利用在MCPCB上预留测温点进行SiC器件结温估算的方法，计算得到SiC器件结区温度与模拟结果的相对误差较小，表明本文方法能较准确地估算结温，并且操作方式简单，方便实施。方便实施。方便实施。

【技术实现步骤摘要】
一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件检测
，尤其涉及一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)材料具有诸多优异的特性，使得碳化硅的功率半导体器件，在大功率和高温应用环境中非常具有吸引力和应用前景。在高开关频率下，SiC器件产生的热量很高，导致器件的芯片温度很高，将加速器件性能的退化，因此，快速、准确地测量SiC器件在工高开关频率下的结温具有重要意义。
[0003]但是现有技术的SiC器件结温估算方法所分析出来的数值与理论计算结果差异较大，并且操作方式复杂，实施起来困难。因而，我们提出了一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法，包括以下步骤：
[0007]S1：测算结电压：对处于高开关频率下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：测算结电压：对处于高开关频率下的SiC器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量SiC器件在高开关频率下的源
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漏二极管结电压；S2：测算导热热阻：在MCPCB上预留测温点进行SiC器件结温估算，需在MCPCB上布线设计测温点，将SiC器件底部热沉焊盘延伸至器件外同时在白油阻焊层上开出的窗口，该窗口即为测温点，估算出SiC器件的导热热阻；S3：制作测试基板：将SiC器件焊接在铝基板上作为实验板，然后进行实验，实验完成后，将实验数据与S1中的源
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漏二极管结电压数值构建线性关系式；S4：数值模拟构建：为了验证在MCPCB上预留测温点进行SiC器件结温估算方法的可行性，在热分析软件ICEPAK中建立了测量实验的三维模型，并对模型进行网格划分。2.根据权利要求1所述的一种高开关频率下的SiC器件结温估算方法，其特征在于，所述S3的实验方式为：先通电10
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15min，待热平衡后使用热电偶温度计测量测温点的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周铭浩，
申请(专利权)人：宿迁苏哈新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：