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单晶炉及单晶生长系统技术方案
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文档序号:35812579
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本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,提供一种单晶炉及单晶生长系统。其中,单晶炉,包括:炉体,侧壁设有加料口;坩埚,设置在炉体的内部;保温组件,设置在坩埚的上方,保温组件为环状结构,保温组件包括固定部和转动部,固定部与加料口相对的位置设有贯通孔...
该专利属于三一集团有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过三一集团有限公司授权不得商用。
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